Články podle tagu: ferroelectric-memory

Neprchavá paměť na nitridu hliníku: metoda ORNL

Vědci z ORNL poprvé vytvořili neprchavou paměť na nitridu hliníku pomocí heliového iontového paprsku, čímž snížili spotřebu energie o 40 %. Přečtěte si o průlomu v mikroelektronice a perspektivách pro čipy.

Vědci z Berkeley objevili novou cestu k energeticky účinným čipům

Výzkumníci z UC Berkeley zjistili, že ultratenký film TiO₂ o tloušťce menší než 3 nm se stává feroelektrikem. To umožňuje vytvářet rychlejší a energeticky účinnější čipy pro nositelnou elektroniku bez změny technologického procesu.