Artículos por etiqueta: ferroelectric-memory

Memoria no volátil sobre nitruro de aluminio: método ORNL

Científicos de ORNL han creado por primera vez memoria no volátil sobre nitruro de aluminio utilizando un haz de iones de helio, reduciendo el consumo de energía en un 40%. Conozca el avance en microelectrónica y las perspectivas para los chips.

Científicos de Berkeley descubrieron un nuevo camino hacia chips energéticamente eficientes

Investigadores de UC Berkeley descubrieron que una película ultrafina de TiO₂ de menos de 3 nm de espesor se vuelve ferroeléctrica. Esto permite chips más rápidos y energéticamente eficientes para electrónica portátil sin cambiar el proceso de fabricación.