Artykuły według tagu: ferroelectric-memory

Nieulotna pamięć na azotku glinu: metoda ORNL

Naukowcy ORNL po raz pierwszy stworzyli nieulotną pamięć na azotku glinu za pomocą wiązki jonów helu, zmniejszając zużycie energii o 40%. Dowiedz się o przełomie w mikroelektronice i perspektywach dla układów scalonych.

Naukowcy z Berkeley odkryli nową drogę do energooszczędnych chipów

Badacze z UC Berkeley odkryli, że ultracienka warstwa TiO₂ o grubości poniżej 3 nm staje się ferroelektrykiem. Pozwala to na tworzenie szybszych i bardziej energooszczędnych chipów do elektroniki noszonej bez zmiany procesu technologicznego.