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氮化铝上的非易失性存储器：ORNL方法

ORNL科学家首次利用氦离子束在氮化铝上创建了非易失性存储器，功耗降低40%。了解微电子领域的突破及芯片前景。

伯克利科学家发现了一条通往节能芯片的新路径

加州大学伯克利分校的研究人员发现，厚度小于3纳米的超薄TiO₂薄膜具有铁电性。这使得可穿戴电子设备能够在不改变制造工艺的情况下，实现更快、更节能的芯片。