OnePlus 100W GaN Zerlegung: Schaltpläne und Chips

Im Inneren des OnePlus 100W SuperVOOC GaN-Ladegeräts: Ein detaillierter Teardown

Das OnePlus 100W SuperVOOC GaN-Ladegerät (Modell VCBAOBCH) liefert 100W über das SuperVOOC-Protokoll mit Kompatibilität für UFCS und QC3.0. Abmessungen: 54,82 × 54,33 × 31,44 mm, Gewicht 112 g. Eingang: 100–130 V / 2,5 A (max. 80W) oder 200–240 V / 2,5 A (max. 100W). Ausgang: 5 V / 2 A oder 5–11 V / 9,1 A. Das Gehäuse besteht aus flammhemmendem Polycarbonat mit matter Oberfläche und verfügt über einen USB-A-Anschluss und einen chinesischen Stecker.

Im Lieferumfang: Ladegerät + USB-A-auf-USB-C-Kabel (99 cm, rote Isolierung). Tests mit dem LAB POWER-Z KM003C bestätigen Unterstützung für UFCS, QC3.0, SVOOC, VOOC und DCP-Protokolle. Beim Laden eines OnePlus Ace 5 Extreme Edition erreicht es 75,89W.

Teardown und PCBA-Topologie

PCBA: 50,74 × 50,02 × 24,45 mm. Die Primär- und Sekundärkreise sind mit einer Barriere isoliert, mit Compound vergossen, wobei Transformator und USB-Buchse unter Kunststoffabdeckungen liegen. Der Boden ist eine Kunststoffabdeckung mit Kühlkörper. Wichtige Komponenten sind zur Kühlung an der Abdeckung geklebt.

Primärkreis (Eingangsfilter und Gleichrichter):

• Sicherung: Bate Electronics 3,15 A / 250 V.
• NTC-Thermistoren: Jiuyin 8S2R5M für sanften Start und Einschaltstrombegrenzung.
• X2-Kondensator: CARLI 0,22 μF für Gleichtaktstörungen.
• Gleichtaktfilter mit Induktivität in Schrumpfschlauch.
• Gleichrichterbrücke: DiYi UG8KB100A (8 A, 1000 V, D3K-Gehäuse).
• Elektrolytkondensatoren: Dongjia 400 V / 33 μF, AiSHi 400 V / 33 μF und 400 V / 27 μF.

Wichtige Leistungskomponenten und Controller

Der Flyback-Wandler-Controller Southchip SC1835 steuert den Primärkreis. Leistungs-GaN-Element Navitas NV6134C: eMode GaN-FET mit Treiber, 700 V, Rds(on) 260 mΩ, Frequenz bis zu 2 MHz, QFN 6×8 mm Gehäuse.

Im Sekundärkreis:

• Synchrongleichrichter Southchip SC1836 (SOT23-6): CCM/DCM/QR-Modi, bis zu 400 kHz, Ausgang ab 0 V, keine zusätzliche Leistungswicklung, adaptive Einschalterkennung, konform mit CoC V5 / DoE VL.
• NMOS PW028N06ESL (Pingwei): 60 V, Rds(on) 2,3 mΩ, DFN5×6.
• Festkörperkondensatoren: Emerald 16 V / 820 μF (×2).

Protokolle und Ausgang:

• Protokoll-Chip: Southchip SC1834.
• VBUS-Transistor: 055N03L2 (DFN3×3).

Y-Kondensatoren: HEC Electronics und Haohua Electronics für Zwischenkreisisolierung. Transformator, Chip-Leistungskondensator Xinzhongyuan 100 V / 10 μF.

Liste der Schlüsselkomponenten

| Komponente | Modell | Hersteller | Spezifikationen |

|-----------|--------|---------------|----------------|

| PWM-Controller | SC1835 | Southchip | Flyback |

| GaN-FET+Treiber | NV6134C | Navitas | 700 V, 260 mΩ, 2 MHz |

| Synchrongleichrichter | SC1836 | Southchip | 400 kHz, CCM/DCM/QR |

| Protokolle | SC1834 | Southchip | SuperVOOC/UFC/QC |

| Gleichrichterbrücke | UG8KB100A | DiYi | 8 A, 1000 V |

| Sicherung | - | Bate | 3,15 A / 250 V |

| Eingangskondensatoren | - | AiSHi/Dongjia | 400 V, 27–33 μF |

| Ausgangskondensatoren | - | Emerald | 16 V / 820 μF |

Wichtige Erkenntnisse

• Die Navitas NV6134C GaN-Implementierung ermöglicht kompakte Größe und hohe Frequenz (2 MHz) bei 100W.
• Das Southchip-Trio (SC1835/1836/1834) optimiert Effizienz und Protokolle ohne externe Wicklungen.
• NTC-Sanftstart minimiert Einschaltstrom, X/Y-Kondensatoren gewährleisten EMI-Konformität.
• Synchrongleichrichter SC1836 mit QR-Modus erfüllt CoC V5 / DoE VL-Standards.
• Gesamtdesign: Kompakte PCBA mit Verguss und Kühlkörper für Zuverlässigkeit.

Die Schaltung kombiniert Hochspannungsfilterung, GaN-Wandlung und digitale Protokollsteuerung und liefert 100W in minimaler Bauweise im Vergleich zu Si-basierten Lösungen (z.B. Apple 96W).

— Editorial Team