Démontage OnePlus 100W GaN : Schémas et puces

Démontage détaillé du chargeur OnePlus 100W SuperVOOC GaN

Le chargeur OnePlus 100W SuperVOOC GaN (modèle VCBAOBCH) délivre 100W via le protocole SuperVOOC, avec compatibilité UFCS et QC3.0. Dimensions : 54,82 × 54,33 × 31,44 mm, poids 112 g. Entrée : 100–130 V / 2,5 A (80W max) ou 200–240 V / 2,5 A (100W max). Sortie : 5 V / 2 A ou 5–11 V / 9,1 A. Le boîtier est en polycarbonate ignifuge avec finition mate, doté d'un port USB-A et d'une prise chinoise.

Inclus : bloc chargeur + câble USB-A vers USB-C (99 cm, isolation rouge). Les tests avec le LAB POWER-Z KM003C confirment la prise en charge des protocoles UFCS, QC3.0, SVOOC, VOOC et DCP. Lors de la charge d'un OnePlus Ace 5 Extreme Edition, il atteint 75,89W.

Topologie de la carte électronique et démontage

Carte électronique : 50,74 × 50,02 × 24,45 mm. Les circuits primaire et secondaire sont isolés par une barrière, encapsulés avec un composé, avec le transformateur et la prise USB sous capots plastiques. Le fond est un capot plastique avec dissipateur thermique. Les composants clés sont collés au capot pour le refroidissement.

Circuit primaire (filtre d'entrée et redresseur) :

• Fusible : Bate Electronics 3,15 A / 250 V.
• Thermistances NTC : Jiuyin 8S2R5M pour démarrage progressif et réduction du courant d'appel.
• Condensateur X2 : CARLI 0,22 μF pour le bruit différentiel.
• Filtre anti-mode commun avec inductance sous gaine thermorétractable.
• Pont redresseur : DiYi UG8KB100A (8 A, 1000 V, boîtier D3K).
• Condensateurs électrolytiques : Dongjia 400 V / 33 μF, AiSHi 400 V / 33 μF et 400 V / 27 μF.

Composants de puissance et contrôleurs clés

Le contrôleur convertisseur flyback Southchip SC1835 gère le circuit primaire. Élément GaN de puissance Navitas NV6134C : FET GaN eMode avec driver, 700 V, Rds(on) 260 mΩ, fréquence jusqu'à 2 MHz, boîtier QFN 6×8 mm.

Dans le circuit secondaire :

• Redresseur synchrone Southchip SC1836 (SOT23-6) : modes CCM/DCM/QR, jusqu'à 400 kHz, sortie à partir de 0 V, pas de bobinage d'alimentation supplémentaire, détection d'allumage adaptative, conforme aux normes CoC V5 / DoE VL.
• NMOS PW028N06ESL (Pingwei) : 60 V, Rds(on) 2,3 mΩ, DFN5×6.
• Condensateurs solides : Emerald 16 V / 820 μF (×2).

Protocoles et sortie :

• Puce de protocole : Southchip SC1834.
• Transistor VBUS : 055N03L2 (DFN3×3).

Condensateurs Y : HEC Electronics et Haohua Electronics pour l'isolation inter-circuits. Transformateur, condensateur d'alimentation de puce Xinzhongyuan 100 V / 10 μF.

Liste des composants clés

| Composant | Modèle | Fabricant | Spécifications |

|-----------|--------|---------------|----------------|

| Contrôleur PWM | SC1835 | Southchip | Flyback |

| FET GaN+Driver | NV6134C | Navitas | 700 V, 260 mΩ, 2 MHz |

| Redresseur synchrone | SC1836 | Southchip | 400 kHz, CCM/DCM/QR |

| Protocoles | SC1834 | Southchip | SuperVOOC/UFC/QC |

| Pont redresseur | UG8KB100A | DiYi | 8 A, 1000 V |

| Fusible | - | Bate | 3,15 A / 250 V |

| Condensateurs d'entrée | - | AiSHi/Dongjia | 400 V, 27–33 μF |

| Condensateurs de sortie | - | Emerald | 16 V / 820 μF |

Points clés à retenir

• L'implémentation GaN Navitas NV6134C permet une taille compacte et une haute fréquence (2 MHz) à 100W.
• Le trio Southchip (SC1835/1836/1834) optimise l'efficacité et les protocoles sans bobinages externes.
• Le démarrage progressif NTC minimise le courant d'appel, les condensateurs X/Y assurent la conformité CEM.
• Le redresseur synchrone SC1836 avec mode QR respecte les normes CoC V5 / DoE VL.
• Conception globale : carte électronique compacte avec encapsulation et dissipateur thermique pour la fiabilité.

Le circuit combine filtrage haute tension, conversion GaN et contrôle numérique des protocoles, offrant 100W dans un encombrement minimal par rapport aux solutions à base de Si (ex. Apple 96W).

— Editorial Team