OnePlus 100W GaN 拆解：原理图和芯片

一加100W SuperVOOC GaN充电器深度拆解：内部构造全解析

一加100W SuperVOOC GaN充电器（型号VCBAOBCH）通过SuperVOOC协议提供100W功率，兼容UFCS和QC3.0。尺寸：54.82 × 54.33 × 31.44毫米，重量112克。输入：100–130伏 / 2.5安（最大80瓦）或200–240伏 / 2.5安（最大100瓦）。输出：5伏 / 2安或5–11伏 / 9.1安。外壳采用阻燃聚碳酸酯材质，哑光处理，配备USB-A接口和中国标准插头。

包装内含：充电器本体 + USB-A转USB-C线缆（99厘米，红色绝缘层）。使用LAB POWER-Z KM003C测试确认支持UFCS、QC3.0、SVOOC、VOOC和DCP协议。为一加Ace 5极速版充电时，功率可达75.89瓦。

拆解与PCBA拓扑结构

PCBA尺寸：50.74 × 50.02 × 24.45毫米。初级和次级电路通过隔离屏障分隔，填充灌封胶，变压器和USB插座覆盖塑料罩。底部为带散热片的塑料盖。关键元件粘附于盖板以增强散热。

初级电路（输入滤波与整流器）：

• 保险丝：Bate Electronics 3.15安 / 250伏。
• NTC热敏电阻：Jiuyin 8S2R5M，用于软启动和浪涌电流抑制。
• X2电容：CARLI 0.22微法，抑制差模噪声。
• 共模滤波器，电感包裹热缩管。
• 整流桥：DiYi UG8KB100A（8安，1000伏，D3K封装）。
• 电解电容：Dongjia 400伏 / 33微法，AiSHi 400伏 / 33微法和400伏 / 27微法。

关键电源元件与控制器

反激转换控制器Southchip SC1835管理初级电路。功率GaN元件Navitas NV6134C：增强型GaN FET集成驱动器，700伏，Rds(on) 260毫欧，频率高达2兆赫兹，QFN 6×8毫米封装。

次级电路中：

• 同步整流器Southchip SC1836（SOT23-6封装）：支持CCM/DCM/QR模式，最高400千赫兹，从0伏输出，无需额外电源绕组，自适应开启检测，符合CoC V5 / DoE VL标准。
• NMOS PW028N06ESL（Pingwei）：60伏，Rds(on) 2.3毫欧，DFN5×6封装。
• 固态电容：Emerald 16伏 / 820微法（×2个）。

协议与输出：

• 协议芯片：Southchip SC1834。
• VBUS晶体管：055N03L2（DFN3×3封装）。

Y电容：HEC Electronics和Haohua Electronics，用于电路间隔离。变压器、芯片电源电容Xinzhongyuan 100伏 / 10微法。

关键元件列表

| 元件 | 型号 | 制造商 | 规格 |

|-----------|--------|---------------|----------------|

| PWM控制器 | SC1835 | Southchip | 反激式 |

| GaN FET+驱动器 | NV6134C | Navitas | 700伏，260毫欧，2兆赫兹 |

| 同步整流器 | SC1836 | Southchip | 400千赫兹，CCM/DCM/QR |

| 协议芯片 | SC1834 | Southchip | SuperVOOC/UFC/QC |

| 整流桥 | UG8KB100A | DiYi | 8安，1000伏 |

| 保险丝 | - | Bate | 3.15安 / 250伏 |

| 输入电容 | - | AiSHi/Dongjia | 400伏，27–33微法 |

| 输出电容 | - | Emerald | 16伏 / 820微法 |

核心要点

• Navitas NV6134C GaN技术实现紧凑尺寸和100瓦下的高频运行（2兆赫兹）。
• Southchip三件套（SC1835/1836/1834）优化效率与协议支持，无需外部绕组。
• NTC软启动降低浪涌电流，X/Y电容确保电磁干扰合规。
• 同步整流器SC1836配合QR模式满足CoC V5 / DoE VL标准。
• 整体设计：紧凑PCBA结合灌封与散热片，提升可靠性。

电路集成高压滤波、GaN转换和数字协议控制，相比硅基方案（如苹果96瓦充电器），在极小体积内提供100瓦功率。

— Editorial Team