Despiece de OnePlus 100W GaN: Esquemáticos y Chips

Desmontando el Cargador OnePlus 100W SuperVOOC GaN: Un Análisis Detallado

El cargador OnePlus 100W SuperVOOC GaN (modelo VCBAOBCH) entrega 100W mediante el protocolo SuperVOOC, con compatibilidad para UFCS y QC3.0. Dimensiones: 54,82 × 54,33 × 31,44 mm, peso 112 g. Entrada: 100–130 V / 2,5 A (80W máx.) o 200–240 V / 2,5 A (100W máx.). Salida: 5 V / 2 A o 5–11 V / 9,1 A. La carcasa está hecha de policarbonato ignífugo con acabado mate, con un puerto USB-A y un enchufe chino.

Incluido: bloque del cargador + cable USB-A a USB-C (99 cm, aislamiento rojo). Las pruebas con el LAB POWER-Z KM003C confirman soporte para protocolos UFCS, QC3.0, SVOOC, VOOC y DCP. Al cargar un OnePlus Ace 5 Extreme Edition, alcanza 75,89W.

Desmontaje y Topología de la PCBA

PCBA: 50,74 × 50,02 × 24,45 mm. Los circuitos primario y secundario están aislados con una barrera, encapsulados con compuesto, con el transformador y el conector USB bajo cubiertas de plástico. La base es una cubierta de plástico con disipador de calor. Los componentes clave están pegados a la cubierta para refrigeración.

Circuito Primario (Filtro de Entrada y Rectificador):

• Fusible: Bate Electronics 3,15 A / 250 V.
• Termistores NTC: Jiuyin 8S2R5M para arranque suave y reducción de corriente de entrada.
• Condensador X2: CARLI 0,22 μF para ruido diferencial.
• Filtro de modo común con inductancia en termorretráctil.
• Puente rectificador: DiYi UG8KB100A (8 A, 1000 V, encapsulado D3K).
• Condensadores electrolíticos: Dongjia 400 V / 33 μF, AiSHi 400 V / 33 μF y 400 V / 27 μF.

Componentes de Potencia y Controladores Clave

El controlador de convertidor flyback Southchip SC1835 gestiona el circuito primario. Elemento GaN de potencia Navitas NV6134C: FET GaN eMode con driver, 700 V, Rds(on) 260 mΩ, frecuencia hasta 2 MHz, encapsulado QFN 6×8 mm.

En el circuito secundario:

• Rectificador síncrono Southchip SC1836 (SOT23-6): modos CCM/DCM/QR, hasta 400 kHz, salida desde 0 V, sin devanado de alimentación adicional, detección adaptativa de encendido, cumple con CoC V5 / DoE VL.
• NMOS PW028N06ESL (Pingwei): 60 V, Rds(on) 2,3 mΩ, DFN5×6.
• Condensadores de estado sólido: Emerald 16 V / 820 μF (×2).

Protocolos y Salida:

• Chip de protocolo: Southchip SC1834.
• Transistor VBUS: 055N03L2 (DFN3×3).

Condensadores Y: HEC Electronics y Haohua Electronics para aislamiento entre circuitos. Transformador, condensador de alimentación del chip Xinzhongyuan 100 V / 10 μF.

Lista de Componentes Clave

| Componente | Modelo | Fabricante | Especificaciones |

|-----------|--------|---------------|----------------|

| Controlador PWM | SC1835 | Southchip | Flyback |

| FET+Driver GaN | NV6134C | Navitas | 700 V, 260 mΩ, 2 MHz |

| Rectificador Sínc. | SC1836 | Southchip | 400 kHz, CCM/DCM/QR |

| Protocolos | SC1834 | Southchip | SuperVOOC/UFC/QC |

| Puente Rectificador | UG8KB100A | DiYi | 8 A, 1000 V |

| Fusible | - | Bate | 3,15 A / 250 V |

| Condensadores de Entrada | - | AiSHi/Dongjia | 400 V, 27–33 μF |

| Condensadores de Salida | - | Emerald | 16 V / 820 μF |

Conclusiones Clave

• La implementación GaN Navitas NV6134C permite tamaño compacto y alta frecuencia (2 MHz) a 100W.
• El trío Southchip (SC1835/1836/1834) optimiza eficiencia y protocolos sin devanados externos.
• El arranque suave NTC minimiza la corriente de entrada, los condensadores X/Y aseguran cumplimiento EMI.
• El rectificador síncrono SC1836 con modo QR cumple estándares CoC V5 / DoE VL.
• Diseño general: PCBA compacta con encapsulado y disipador para fiabilidad.

El circuito combina filtrado de alto voltaje, conversión GaN y control digital de protocolos, entregando 100W en una huella mínima comparado con soluciones basadas en Si (ej., Apple 96W).

— Editorial Team