三星和SK海力士开始量产HBM4芯片，用于英伟达下一代AI加速器
新内存每堆栈带宽超过2 TB/s，是HBM3E的两倍，将于第三季度开始出货。
HBM4：没有赢家。为什么三星和SK海力士在向你兜售幻觉
当我看到关于“HBM4量产”和带宽翻倍的标题时，我就知道行业又在玩“在现实到来前宣布胜利”的老把戏。没错，三星和SK海力士确实已经开始出货。但几乎没有人谈论这场竞赛背后真正发生的事情。相信我，这远非新闻稿描绘的美好画面。
问题在于，所有这些内存的主要客户英伟达，目前正试图拯救其旗舰产品Rubin免于技术崩溃。而HBM4不是解决方案——它是问题的根源。当韩国制造商提高产量时，圣克拉拉的工程师们正在疯狂修改芯片规格和重新设计冷却系统。让我解释一下，为什么一份价值数十亿美元的合同可能变成所有参与方的灾难。
真实故事：实际发生了什么
官方版本： 三星和SK海力士已开始量产HBM4，每堆栈带宽超过2 TB/s，是HBM3E的两倍。出货将于2026年第三季度开始。听起来像是一个突破。
现实： 英伟达要求内存制造商提供超过10 Gb/s的数据传输速率，而JEDEC标准仅规定8 Gb/s。这意味着韩国公司被迫在技术能力的边缘运行。并非所有人都能应对。
据报道，三星已通过英伟达在10 Gb/s和11 Gb/s两个级别的认证。这就是为什么这家韩国巨头率先开始出货。而长期占据HBM市场领导地位的SK海力士，仍在优化其产品以通过11 Gb/s测试。这对一家习惯于领先的公司来说是一个严重打击。
但媒体大多忽略的最令人震惊的消息是：美光工程师未能达到规定规格，英伟达已将这家美国制造商边缘化。 现在美光将仅为低端Rubin CPX型号（用于推理）供应内存，而非旗舰Vera Rubin。这是美国在AI内存争夺战中的地缘政治失败。
时间线与背景
许多人已经忘记了这件事的来龙去脉。而这很能说明问题。
2023年9月： 三星发送了首批HBM4工程样品。良率仅为30%。该项目被视为失败；内部人士称韩国人落后SK海力士一年。
2024年11月： 得益于转向1c纳米工艺（10纳米级第六代），三星将良率提高到50%。很明显，战斗尚未结束。
2026年3月： 三星宣布量产良率稳定在60%，并设定年底达到85%的目标。HBM4的盈亏平衡点约为50%，因此从这时起，每批内存开始产生利润。
2026年5月（现在）： 三星报告已向客户发送首批HBM4E（增强版）工程样品。带宽达到3.6 TB/s，数据速率为14 Gb/s。
真正的问题在于：当三星在性能竞赛中追赶时，英伟达自身面临灾难性问题。而HBM4只是更大图景的一部分。
谁赢谁输
赢家：三星。 矛盾的是，三星现在比SK海力士处境更好。他们有三张王牌：自己的4nm逻辑工艺用于HBM4基础芯片、先进的混合键合技术（尽管良率仍然很低，约10%），以及至关重要的廉价常规DRAM。英伟达需要产量，三星可以强加条件：想要HBM4？也要买服务器DRAM。这是一种粗暴的商业手段，在短缺时期突然证明有效。
赢家：英伟达？不，英伟达输了。 所有报告都一致认为Rubin平台面临严重技术问题。由于美光和SK海力士的芯片质量低，英伟达不得不修改规格。主要原因是翘曲——基板弯曲。 英伟达使用的CoWoS-L封装存在热膨胀问题：有机中间层受热时比硅内存芯片膨胀得多。结果，平台弯曲，触点失去连接。
输家：SK海力士。 他们是HBM3和HBM3E的领导者。但他们在HBM市场的比特份额从2025年的59%下降到2026年的50%，而三星从20%增长到28%。SK海力士尚未宣布HBM4的量产出货。每延迟一周，他们就损失数百万美元和市场份额。
输家：欧洲汽车行业和云服务提供商。 他们被承诺了基于Rubin的廉价AI加速器。现在，由于内存问题，英伟达被迫降低规格。对于Rubin Ultra，他们最初计划使用16层HBM4E，总容量1 TB。由于SK海力士和美光的良率问题，目标降至12层和768 GB。这意味着在销售开始前就损失了25%的容量。每千字节内存的价格将上涨，欧洲和美国的数据中心将付出更多代价获得更少容量。
媒体没有说的
关键的非显而易见见解：HBM4不是提升性能的产品，而是拯救Rubin免于过热和翘曲的拐杖。
想想看：Rubin Ultra的原始设计假设了16个HBM4E堆栈。现在将只有12个，因为16层根本装不进JEDEC设定的775微米最大封装高度。SK海力士正试图用其MR-MUF技术解决这个问题，该技术允许封装薄至30微米（而不是通常的50微米）。但这已接近物理极限。
此外，功耗问题也与内存有关。HBM4消耗大量能源。英伟达不得不放弃双散热器冷却系统，改用单散热器，甚至将铟石墨热界面换成普通石墨，因为前者无法承受热负荷。
还有一点：HBM4的市场价格已达到每芯片700美元，比HBM3E高出20-30%。 与此同时，服务器中使用的常规DRAM变得如此昂贵，以至于其生产几乎与HBM一样有利可图。三星已经在与英伟达的谈判中使用这一论点：我们可以生产昂贵的低良率HBM4，或者高良率的廉价DRAM。黄仁勋，你选吧。
预测：未来30天和90天
未来30天（2026年6月）：
三星将大力宣传其HBM4E的成功。他们已经宣布发送工程样品，现在将强调他们在HBM4E竞赛中领先SK海力士整整一年。预计会有一系列三星高管的采访，暗示英伟达正在将大量订单转移给他们。
SK海力士将试图通过在某技术论坛上展示首个工作16层HBM4堆栈来夺取主动权。但问题在于，16层在2027年第一季度之前无法通过英伟达认证。
英伟达将保持沉默。该公司不会评论Rubin的问题。相反，在GTC（3月已举行，但结果刚刚显现）上，他们将宣布与三家内存制造商的“扩大合作伙伴关系”，以掩盖没有一家能提供所需产量和质量的事实。
未来90天（2026年8月）：
首批Rubin服务器将出货。但不要期待创纪录的表现。我在组装渠道的消息人士称，首批Rubin将以降低的内存频率运行。英伟达宁愿降低规格也不愿承认技术问题。经典操作：还记得RTX 3000系列吗？
主要打击将落在云服务提供商身上。AWS、谷歌云和微软Azure原计划在2026年第四季度推出Rubin实例，现在将推迟到2027年第一季度。原因：缺乏符合规格的经过验证的HBM4堆栈。
最重要的预测：到2026年底，SK海力士将失去英伟达主要HBM供应商的地位。 目前供应HBM4 30%产量的三星，其份额将增至45%。SK海力士将从60%降至45%，而美光将保持在10%，用于次要产品。
这将是一次历史性的逆转。过去三年主导HBM市场的公司将让出领导地位，因为它无法通过英伟达11 Gb/s的认证测试。而2023年被看衰的三星将重返王座。但没什么值得庆祝的：这一回归的代价是每芯片700美元和终端用户25%的容量损失。在这场战争中，没有赢家——只有输得少的人。
— Editorial Team
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